半导体激光芯片双结突破110W、单结突破74W! 度亘于Photonics West 2024发布最新成果!

发布时间:

2024-01-31 13:40

2024年1月29日,在美国旧金山举行的西部光电展(Photonics West 2024)会议上,度亘核芯(DoGain)发布了915nm高功率高效率半导体激光方面的最新进展,首次实现了单管器件高达110W的功率输出!

 

随着工业加工市场的蓬勃发展,半导体激光芯片的功率、效率、亮度面临着新的挑战,激光芯片任何方面性能的提升,对激光应用都会起到巨大的推动作用。度亘核芯深耕激光芯片领域多年,研发量产了众多的芯片系列,产品在业内一直处于领先地位。度亘核芯通过对基础物理、材料科学、芯片设计以及器件制备工艺的深入研究,优化了芯片的内量子效率、腔内光学损耗以及腔面的高负载能力,成功实现了输出功率和电光转换效率的显著提高。

新近研发的915nm 500um条宽单管双结激光芯片,在具有极高的电光转换效率的前提下,在室温和55A连续工作条件下,突破性的实现了110W的高输出功率,为业界领先水平!

图1. 9xxnm双结半导体激光芯片特性曲线(CW)

 

双结激光芯片的技术突破是建立在已批量生产的单结9xx nm 芯片技术基础之上,现已在业界广受欢迎的915nm 320um条宽单管激光芯片,在室温连续工作条件下可靠输出45W功率,电光转换效率超过65%;500um条宽单结芯片在连续工作条件下输出功率达到74W!

 

图2. 9xxnm单结半导体激光芯片特性曲线(CW)

 

此系列高功率、高效率新产品的研发成功充分展示了度亘坚持技术领先、不懈进取的企业精神,度亘也将持续聚焦核心光电领域,提升产品的性能和可靠性,持续不断的为客户提供更优质的产品。

 

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