12大关键技术
封装工艺
• NVS共晶技术
• HBF光纤耦合
芯片工艺
• G3技术
• IFVD技术
材料生长
• SIC技术
• PQA技术
• LDHSC技术
• DS技术
芯片设计
• NC高量子效率
• SALOC低损耗
• SP小发散角
• NA抑制COD
高效率芯片设计技术
▪ NC高量子效率技术：采用载流子限制的新型能带工程设计，提高了载流子注入效率，大大减弱了高电流下的载流子泄露效应，实现了量子效率的提升与突破！
▪ SALOC低内损耗技术：发展了光场与掺杂分布的波导新结构，突破了内损耗和电压之间相互制约的矛盾，实现了低电压的同时具有极低的内损耗。
低损耗低缺陷高均匀性的外延材料生长技术
▪ 低损耗、低杂质工艺技术
▪ 低缺陷密度控制技术
▪ 高均匀性、高重复稳定性
▪ 高应力补偿量子阱生长技术
▪ 混合材料体系界面控制技术
腔面光学灾变损伤控制技术
▪ 腔面的光学灾变损伤COMD——实现高功率输出的巨大瓶颈和核心关键技术！
▪ 自主特殊腔面处理与镀膜技术，从第一代G1技术发展到今天的第三代技术G3，实现高功率工作条件下的无光学灾变损伤！
Copyright © 度亘核芯光电技术（苏州）有限公司