核心技术
12大关键技术
高功率、高效率、高亮度、高可靠性芯片关键技术
-
封装工艺
NVS共晶技术
HBF光纤耦合
-
芯片工艺
G3技术
IFVD技术
-
材料生长
SIC技术
PQA技术
LDHSC技术
DS技术
查看详情 -
芯片设计
NC高量子效率
SALOC低损耗
SP小发散角
NA抑制COD
查看详情
- 封装工艺
- 芯片工艺
- 材料生长
- 芯片设计
[ 0% ]
低损耗低缺陷高均匀性的外延材料生长技术
- 低损耗、低杂质工艺技术
- 低缺陷密度控制技术
- 高均匀性、高重复稳定性
- 高应力补偿量子阱生长技术
- 混合材料体系界面控制技术
高效率芯片设计技术
NC高量子效率技术
采用载流子限制的新型能带工程设计，提高了载流子注入效率，大大减弱了高电流下的载流子泄露效应，实现了量子效率的提升与突破！1
SALOC低内损耗技术
发展了光场与掺杂分布的波导新结构，突破了内损耗和电压之间相互制约的矛盾，实现了低电压的同时具有极低的内损耗。
