重磅升级：新一代超高效率915/975nm单管芯片为激光泵浦注入芯动能

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摘要

度亘核芯依托全自主 IDM 平台，持续突破高端激光芯片技术壁垒，攻克行业长期存在的高功率与低电压难以兼顾的技术痛点，重磅发布新一代 915nm、975nm 高功率单管激光芯片系列。产品在维持优异光束质量与高可靠性的基础上，成功实现了输出功率与电光转换效率的双重跃升，其中 45W、55W 芯片产品额定工作电光效率突破 69%，进一步逼近理论效率极限，为智能制造、工业加工及科学研究等高端应用场景提供更强劲、更高效的核心光源。

应用背景

915nm与975nm半导体激光芯片是高功率光纤激光器的理想泵源，其输出功率与电光转换效率直接决定了光纤激光系统的整机功率、能耗水平与运行成本。随着工业加工、精密制造和科学研究等应用对激光功率与系统稳定性要求的不断提升，传统芯片在高功率工况下普遍面临效率滚降明显、热管理困难、可靠性下降等问题。因此，在更高功率下维持高效率、低热耗与长寿命，成为当前激光芯片技术攻关的关键方向。

开发成果

度亘核芯针对915nm/975nm高功率单管激光芯片在高功率下的效率衰减与可靠性挑战，开展了系统性技术攻关。通过创新量子阱能带结构与应变调控设计，优化外延层界面质量与载流子限制能力，结合低损伤晶圆工艺与先进腔面钝化技术，成功实现了功率与效率的协同提升：

915nm系列：45W输出功率下，电光转换效率达70%@40A；55W输出功率下，效率仍保持69.7%@49.5A。

975nm系列：45W输出功率下，电光转换效率达69.1%@43.5A；55W输出功率下，效率达69.7%@52.5A。

与此同时，器件在高功率工况下的热阻显著降低，腔面抗损伤能力增强，长期可靠性得到充分保障。形成了915/975nm 42W、45W、55W、66W系列单管产品，可灵活适配高功率光纤激光泵浦、半导体激光系统、科研激光等多元应用场景，为高功率、高效率、高可靠性的高端激光应用提供核心支撑。

图 1 915nm 55 W芯片典型L-I-V-E曲线

图 2 975nm 55W芯片典型L-I-V-E曲线

形成的系列产品

形成915/975nm 42/45/55/66W系列单管产品。