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2023.01.31

度亘高功率9xx-nm半导体激光管最新进展 于旧金山Photonics West上发表

摘要

度亘于2023年1月29日在旧金山的Photonics West上介绍了其高功率9xx-nm半导体激光管的最新进展。最新的半导体激光管拥有 48.5 W 的最大输出功率和 72.6% 的功率转换效率,为客户提供高功率激光系统的经济高效的解决方案。

应用与背景

半导体激光二极管广泛用于各种工业应用,作为光纤激光器和直接二极管系统的泵浦源,并且由于其效率、可靠性和紧凑的设计,已成为多个行业的关键组件。伴随着激光器在工业加工领域的快速发展,作为光纤激光器和固体激光器泵浦源的9xx-nm高功率半导体激光器已经成为业界发展的热点之一。

技术难点

1. 广泛的温度控制系统需求;

2. 极高的电光转换效率和良好的工作稳定性及紧凑的体积和简单的驱动要求;

3.  芯片要求同时具备低损耗、低电压、高内量子效率以及低发散角,但参数之间又有相互制约与矛盾的设计挑战;

4.  低缺陷密度、低杂质密度和高重复稳定的高质量外延材料生长的挑战。

研究成果

度亘研发团队针对915 nm 泵浦半导体激光管进行了深入的研究并取得了突破性的成果,生成了一种解决方案,由于其宽吸收带,它是宽温度范围的理想选择。这消除了对广泛的温度控制系统的需求,使激光二极管在高功率激光系统中使用更具吸引力。

为了提高激光二极管的效率和输出功率,度亘利用其在外延设计和增长技术方面的专业知识,实现了输出功率和功率转换效率的显着提高。最新的半导体激光管拥有48.5 W 的最大输出功率和 72.6% 的功率转换效率,为客户提供高功率激光系统的经济高效的解决方案。

度亘独特的不对称外延结构针对低光损耗和高内部效率进行了优化,确保了高效可靠的半导体激光管。此外,发射器宽度缩放在55 A 时可实现令人印象深刻的 55 W 输出功率。

 

总结

度亘提供裸片激光二极管、底座芯片和光纤耦合多发射器模块,以及广泛的组件组合,包括高功率边缘发射半导体激光管单发射器和条形,以及垂直腔面发射激光器。度亘针对市场需求,将这项创新技术推向市场,并为客户提供推动业务发展所需的高功率和高效率解决方案。

高功率、高效率、高亮度半导体激光器不仅推动了光纤激光器的发展,而且迎合了工业加工的需求,对于激光器整体应用领域的扩展起到了推动性作用,同时为下游产品的市场开发引领了方向。这种新的半导体激光管技术将对行业产生重大影响,并成为高功率半导体激光管解决方案的新标准。

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