技术破局·创芯赋能｜度亘核芯崭新一代高功率芯片技术升级暨产品发布会于深圳成功举办

2026年9月8日，度亘核芯崭新一代高功率芯片技术升级暨产品发布会于深圳皇悦豪生酒店（国际会展中心店）圆满举办。本次活动汇聚行业协会、高等院校、科研院所及激光产业链上下游核心企业，汇聚产学研用各界精英，聚焦高功率半导体激光芯片前沿核心技术，探讨激光产业 “十五五” 周期发展新机遇，共探国产激光技术自主升级、高端制造产业协同发展新路径。

本次发布会采用定向邀约模式，累计邀约 75 家行业重点单位，近百位行业专家莅临现场，参会阵容覆盖激光产业全产业链核心主体，其中包含中国光学学会激光加工专业委员会、中国光学光电子行业协会、广东省激光行业协会等权威行业协会；清华大学、国防科技大学、深圳技术大学等重点高校；上海光机所、西安光机所、中国工程物理研究院等国内顶尖激光科研院所，以及大族激光、锐科激光、杰普特等产业链龙头企业，充分彰显了度亘核芯在高功率激光芯片领域的行业影响力与产业号召力，也体现了业界对国产高功率激光技术创新发展的高度关注与认可。

会上，度亘核芯携单模980nm与1064nm全系列芯片及模块产品重磅亮相，围绕单模高功率、高可靠性、宽增益谱与超短脉冲响应等关键难点，依托IDM全流程自研体系，在外延设计、精细工艺、腔面钝化与耦合封装等环节持续突破，单模980nm芯片与模块实现kink-free高功率、全温区波长锁定与通信级可靠性，单模1064nm种子源具备15~40nm宽光谱可控优势，批量服务于MOPA激光主流厂商。依托成熟单模技术平台，已形成780~1100nm系列单模产品矩阵，持续引领国内高功率单模半导体激光技术发展。

与此同时，正式首发 976nm 系列 LC 低温漂新品，推出拥有完全自主知识产权的LC 低温漂原创芯片架构技术。区别于行业传统实现方案，该技术既不依赖外部 VBG 光栅器件，也无需采用 DFB/DBR 内置光栅结构，创新性通过芯片原生设计实现优异的低波长漂移性能，从芯片源头攻克高功率光纤激光器固有的波长漂移痛点。

发布会现场完整展示了LC-HPL低温漂COS器件、LC-Pump低温漂泵浦源全系列产品矩阵，全方位呈现技术落地成果。该系列产品跳出光栅方案带来的物料成本、装配工艺、器件可靠性等多重约束，从“芯片内生”新思路出发，采用一体化设计新方案，成功将LC芯片的波长漂移降低至传统芯片的三分之一，为激光整机厂商提供全新的架构优化路径。能够有效帮助下游客户简化整机系统设计，减少配套元器件，实现系统层面降本增效，进一步提升整机运行稳定性，为钣金加工、增材制造等高端制造加工场景注入全新动能。

本次发布会大咖云集、智库汇聚，汇聚国内激光领域顶尖专家学者开展前沿技术分享。中国光学学会激光加工专业委员会主任张庆茂教授、度亘核芯副董事长兼 CTO 杨国文博士、度亘核芯高级技术总监刘育衔博士、清华大学肖起榕教授、深圳技术大学李露教授、中国工程物理研究院激光聚变研究中心李平主任等行业权威悉数登台，围绕“十五五”激光产业发展趋势、高功率半导体激光芯片核心技术、泵浦源技术迭代、紫外光源创新、激光聚变能源应用等前沿领域展开深度解读与专业分享，为行业技术迭代、产业布局提供了极具价值的思路与方向。

活动同期，2026度亘核芯单模模块深圳产线正式启动投产，标志着公司IDM全产业链产业化布局取得突破性落地成果。此次产线投产，将全面扩容公司单模模块的规模化生产、交付能力，进一步夯实度亘核芯在单模模块领域的产业化优势，为产品市场化、规模化推广筑牢产能根基。

本次发布会搭建了高效的产学研用对接平台，与会专家、企业代表围绕技术创新、产品落地、产业链合作等维度开展深度交流、精准对接，有效打通技术研发、成果转化、产业落地的沟通壁垒，为后续行业协同创新、深度战略合作奠定坚实基础。

作为国内领先的高功率半导体激光芯片IDM I厂商，度亘核芯始终坚守底层技术自主创新核心战略，深耕激光芯片核心赛道，持续突破技术垄断。此次LC低温漂原创架构技术及全系新品的重磅发布，是公司在高功率激光芯片领域的又一次里程碑式技术跨越。拓芯不息，创“芯”未来！度亘核芯始终坚持自主创“芯”，坚持技术迭代与产业深耕，打磨硬核产品、优化解决方案，以自主可控的核心技术赋能全产业链升级，携手上下游合作伙伴共建激光产业生态，助力我国激光高端制造产业迈向高性能、高可靠、国产化的全新发展阶段！