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2026.06.15

“芯” 耀亮相,载誉而归!度亘核芯荣获第九届红光奖激光器件创新奖

聚力创新,逐光前行!611日,2026世界激光制造大会暨第九届红光奖颁奖典礼在深圳隆重举行。度亘核芯刘育衔博士受邀出席大会并发表专题演讲。在备受瞩目的红光奖颁奖环节,我司自主研发的单模980nm无制冷半导体激光芯片与3PIN超小型模块, 凭借卓越的技术实力与市场表现,经过专家评审、网络投票等多轮严格遴选,从众多参选企业中脱颖而出,荣获第九届红光奖激光器件创新奖

荣誉加冕,实力出圈

 本次获奖的“单模980nm无制冷半导体激光芯片与3PIN超小型模块,是光信号放大器的核心泵浦源,该产品采用3PIN无制冷超小型模块封装技术,突破无制冷高温特性瓶颈,成功实现单模芯片0~85℃宽温稳定工作,光纤耦合模块的可靠输出功率大于300mW,兼具小型化、低功耗、全电流和全温度动态范围波长锁定和高输出功率、高温度特性、宽光谱等特点,并通过严苛的Telcordia可靠性验证,满足无制冷环境长期运行要求,可广泛应用于小型化EDFAAI数据通信、相干光模块和智能传感等领域。

五大核心技术创新

1、高温低损耗外延结构设计技术

围绕高温条件下载流子泄漏和非辐射复合增强问题,对量子阱深度、势垒高度及波导层结构进行优化,提高载流子限制能力与内量子效率。

2、高功率单模波导与纵向结构协同设计技术

采用窄脊单模波导与渐变纵向结构相结合的设计方案,在保证基横模约束的同时优化电流扩展与光场分布,实现高功率下横模稳定性与电流均匀性的平衡。

3、低缺陷高均匀性外延生长控制技术

通过对生长温度、V/III比及界面过渡的精确控制,降低材料缺陷密度与杂质引入,提升材料均匀性与器件一致性。有效改善高温及高功率条件下的效率衰减与寿命稳定性问题。

4、高可靠性腔面技术

通过降低腔面光功率密度与局部温升,同时结合腔面钝化与镀膜工艺优化,减少表面态吸收与热积累,显著提高腔面抗光学灾变能力。

5、高可靠封装与光纤耦合技术

采用切角楔形透镜光纤(FTA)直接耦合技术,使结构极度紧凑,满足3PIN小体积封装需求。通过优化的芯片与FTA协同设计,实现了宽温度及功率大动态范围内的波长锁定。设计开发了适配小型化封装结构,满足了无制冷模块对小型化和高可靠性的多重要求,产品完全满足Telcordia GR-468标准。

单模980nm无制冷半导体激光芯片

 

3PIN超小型模块

度亘核芯已构建了808~1550nm全波段单模激光产品矩阵,开发了DFB锁波和FP非锁波单模半导体激光芯片和模块。公司自研1064nm单模DFB芯片及超小型模块,凭借窄线宽、低噪声、高光谱稳定性等优势,可作为超快激光系统高性能种子光源,广泛适配量子计算、量子精密测量、激光陀螺等前沿领域。产品支持SM/PM光纤定制化输出,兼容连续/脉冲双工作模式,满足光纤通信、传感、超快种子源、激光医疗、量子科研等多元化化高端应用场景需求。

技术分享,赋能行业

大会现场,度亘核芯刘育衔博士发表题为《创新突破,稳驭温漂——新一代低温漂976nm激光芯片与模块》的专题演讲。围绕公司全新推出的新一代低温漂976nm激光芯片与模块,系统分享了其产品研发背景、核心技术攻坚难点、关键创新突破点,详细介绍了产品的核心性能优势与多元应用场景,全方位、立体化展现了度亘核芯在激光芯片低温漂、高稳定、高可靠领域的前沿技术积累与自主创新成果,获得了与会专家、行业同仁的高度认可与一致好评。

 追光逐“芯”,载誉前行

此次荣获“红光奖”,既是行业对度亘核芯技术创新能力、产品硬核实力的高度认可,也是公司多年来深耕高端半导体激光芯片领域、坚持自主研发的最好印证。作为国内领先的高端半导体激光芯片及模块制造商,度亘核芯始终坚持自主创新,持续深耕激光芯片与模块核心技术领域,不断突破技术瓶颈、打造高品质、高性能、高可靠性的产品,以硬核技术赋能产业升级,以创新力量助力中国激光产业高质量发展、行稳致远!


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