赋能AI高速数通！度亘核芯重磅推出100G PAM4 CWDM EML芯片及COC器件，全面护航400G-FR4/800G-FR8数据中心光互连

随着AI大模型训练集群与超算中心算力规模持续扩张，数据中心内部数据流量正经历指数级攀升，光互连架构正从400G向800G、1.6T加速演进。据行业预测，2026年800G光模块将持续占据市场主流。其中，400G-FR4与800G-FR8光模块凭借单光纤对多波长复用、2公里传输距离等优异特性，正成为数据中心互联的核心选择。然而，随着单通道速率跃升至100G PAM4，传统光源方案在带宽、消光比、调制线性度与温控稳定性等方面面临严峻挑战，高端EML芯片的国产化、规模化量产迫在眉睫。

针对行业刚需痛点，度亘核芯重磅推出（1271/1291/1311/1331nm）100G PAM4高速EML芯片及配套COC器件，凭借自主IDM全链条平台优势，在带宽、消光比、线性调制与光谱稳定性等方面实现全面突破，为AI数据中心400G-FR4、800G-FR8高速光互连场景提供高可靠、高效率、高性价比的光源解决方案。

技术突破：

自研高速架构实现性能全面跃升

本次度亘核芯全新发布的100G PAM4 CWDM EML芯片，将高性能DFB激光器与电吸收调制器（EAM）单片集成于同一芯片，核心搭载自研高速调制架构与先进外延设计，彻底解决了传统DFB方案在高速率下带宽不足、消光比劣化、调制非线性等行业难题。

产品可实现调制带宽>40GHz，带宽余量充足，充分满足100G PAM4高速调制需求，并为系统级信号完整性预留充裕余量。EML芯片凭借其外调制特性，有效避免了激光器芯片在高速调制下产生的啁啾效应，确保信号质量在长距离传输中保持优异。

在消光比表现上，该芯片全工作温度范围内消光比>8dB，多温度场景下始终保持高质量消光比，支持生成清晰、开眼度的PAM4信号眼图，确保400G-FR4/800G-FR8模块在多通道并行工作中的信号传输质量与系统链路余量。

EA线性吸收

PAM4调制有力支持

针对PAM4高阶调制格式对调制器线性度的严苛要求，度亘核芯EML芯片内置电吸收调制器（EAM）依托自研量子阱结构与精密掺杂设计，实现了优异的EA线性吸收特性。EAM通过改变对光的吸收能力来调制信号，其线性度直接决定了PAM4四个电平之间的幅度均匀性与眼图量。依托自研优化设计，芯片在PAM4调制下表现出卓越的线性响应与低非线性失真，有力支持单通道100Gbps PAM4信号的高速调制，为400G-FR4（4×100G）与800G-FR8（8×100G）架构提供了坚实的光源基础。

高性能光栅

全温域光谱稳定单模

波长精度与光谱稳定性是多波长复用系统的生命线。度亘核芯EML芯片搭载自研高性能分布式反馈光栅，通过精准的光栅设计与温控补偿机制，确保芯片在CWDM4波长网格（1271/1291/1311/1331nm）上精确锁定。产品在不同温度工况下均可保持光谱稳定单模输出，边模抑制比优异，有效抑制了温漂带来的波长偏移与模式跳变风险，从源头保障了400G-FR4/800G-FR8模块中多波长信道的隔离度与系统稳定性。

整机配套：

高可靠COC器件交付